IEEE 里程碑牌匾是对单片集成大功率器件、精确模拟功能和复杂数字控制逻辑的开创性研究成果的认可(芯片销量达 400 亿)。
近日意法半导体 (STMicroelectronics，简称 ST;纽约证券交易所代码：STM) 宣布，电气与电子工程师协会 (IEEE)授予意法半导体 IEEE 里程碑奖，表彰公司在超级集成硅栅半导体工艺技术方面的开创性研究成果。意法半导体的 BCD 技术可以制造单片集成双极工艺高精度模拟晶体管、CMOS 工艺高性能数字开关晶体管和高功率 DMOS 晶体管，适合复杂的、有大功率需求的应用。多年来，BCD 工艺技术已赋能硬盘驱动器、打印机和汽车系统等终端应用取得了颠覆性发展。
在意法半导体 Agrate 工厂举行的现场 / 线上揭牌仪式上，IEEE 意大利分部人道主义活动委员会协调员兼前任秘书 Giambattista Gruosso 和意法半导体总裁兼首席执行官 Jean-Marc Chery 共同揭开了 IEEE 里程碑牌匾。该牌匾将放置在意法半导体在意大利米兰市近郊的两个曾经承担多硅栅多功率 BCD 开发工作的意大利布里安札的 Agrate 工厂和意大利米兰 Castelletto 工厂的大门口。牌匾上写着：
IEEE 里程碑
单片多硅技术，1985 年
SGS(现为意法半导体)率先采用单片集成双极型晶体管、CMOS 晶体管和 DMOS 晶体管 (BCD) 的超级集成硅栅极工艺，解决复杂的、有大功率需求的应用设计难题。首个 BCD 超级集成电路 L6202 可以控制最高 60V-5A 的功率，开关频率 300kHz。随后的汽车、计算机和工业自动化广泛采用了这项工艺技术，让芯片设计人员能够灵活、可靠地单片集成功率、模拟和数字信号处理电路。
IEEE 于 1983 年建立了里程碑计划，以表彰在独特产品、服务、有影响力的论文和专利中造福人类的技术创新和卓越成就。每一个里程碑奖都代表了一项至少是 25 年前在 IEEE 代表的技术领域产生的至少具有地区影响力的重要技术成就。目前，IEEE 在全球范围内批准并颁发了大约 220 块 IEEE 里程碑牌匾。
在上个世纪八十年代初期，意法半导体工程师开始寻找可靠的方法解决各种电子应用问题，并第首先在一颗单芯片上集成异质晶体管和异质二极管。工程师着眼于多个细分市场的客户需求，着力于在数字逻辑的控制下提供数百瓦的电力，而且控制逻辑技术遵循摩尔定律。目标器件还将支持精确的模拟功能，并最大程度地降低功耗，无需使用散热器。
这些研发活动最终产生了一种新的集成硅栅技术。这种被称为 BCD (双极、CMOS、DMOS) 的技术利用复杂的互连方法在单个芯片上集成二极管、双极线性晶体管、复杂 CMOS 逻辑和多个 DMOS 功率晶体管。BCD 首个芯片是 L6202 电动机全桥驱动器，工作电压 60V，电流 1.5A，开关频率 300kHz，达到所有设计目标。这个新的可靠工艺技术让芯片设计人员能够在单个芯片上灵活地集成功率、模拟和数字信号处理电路。
从推出 BCD 工艺至今，意法半导体已经售出 400 多亿颗硅栅多功率 BCD 器件 / 芯片，第十代 BCD 技术即将开始投产。在欧洲和亚洲，意法半导体前后工序制造工厂的这项 BCD 技术广泛用于汽车子系统、智能手机、家用电器、音频放大器、硬盘、电源、打印机、微型投影仪、照明、医疗设备、电动机、调制解调器、显示器等。
意法半导体总裁、首席执行官 Jean-Marc Chery 表示：“在 80 年代初，智能电源还是一个独树一帜的概念，我们的一个有远见和眼光的天才技术团队认识到智能电源的价值，创造了一项非凡成就，将双极晶体管的高精度功能与 CMOS 数字控制和 DMOS 的高功率整合成一颗芯片。到现在，已经过去 35 年并经历了 9 次技术迭代，我们产出 500 万片晶圆，售出 400 亿颗芯片 – 仅去年一年就售出近 30 亿颗芯片。能够得到这一 IEEE 里程碑匾额意味着 ST 的 BCD 技术将被写进推进人类发展的科技史册，对此，我们的自豪无以言表。”
